GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 1563.32 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

148-GCMS008C120S1-E1

製造商編號：

GCMS008C120S1-E1

製造商：

SemiQ

說明：

MOSFET模組 Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GCMS008C120S1-E1 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,563.32	NT$1,563.32
	NT$1,357.96	NT$13,579.60
	NT$1,187.62	NT$142,514.40
25,020	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	189 A
Rds On - 漏-源電阻:	12 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	536 W
系列:	GCMS
封裝:	Tube
品牌:	SemiQ
配置:	Single
下降時間:	34 ns
高度:	12.19 mm
If - 順向電流:	176 A
長度:	38.1 mm
產品:	Power Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	35 ns
原廠包裝數量:	30
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	SiC MOSFET
標準斷開延遲時間:	91 ns
標準開啟延遲時間:	37 ns
Vf - 順向電壓:	2.03 V
寬度:	25.3 mm

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所選屬性: 0

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規格書

GCMS008C120S1-E1 規格書 (PDF)

GEN3 1200V SiC MOSFET 電力模組

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.