BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 548.76 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BM3G005MUV-LBE2

製造商編號：

BM3G005MUV-LBE2

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

氮化鎵場效應管 PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

BM3G005MUV-LBE2 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$548.76	NT$548.76
	NT$424.66	NT$4,246.60
	NT$386.58	NT$38,658.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$349.86	NT$349,860.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VQFN-46
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	68.8 A
Rds On - 漏-源電阻:	70 mOhms
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 105 C
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	Nano Cap; EcoGaN
品牌:	ROHM Semiconductor
下降時間:	2.7 ns
最大工作頻率:	2 MHz
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	GaN HEMT Power Stage
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	5 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	Si
標準斷開延遲時間:	19 ns
標準開啟延遲時間:	14 ns

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所選屬性: 0

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.