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NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 1080.88 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVH4L018N075SC1

製造商編號：

NVH4L018N075SC1

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

規格書:

NVH4L018N075SC1 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
封裝/外殼:	TO-247-4
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
系列:	NVH4L018N075SC1
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors

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所選屬性: 0

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規格書

NVH4L018N075SC1 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合規守則

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 大韓民國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。