SiC MOSFET 離散半導體

分離式半導體的類型
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結果: 57
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
80庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
規格書
300庫存量
480預期2026/7/9
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
規格書
1,665庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 50

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
規格書
294庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
1,843庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
255庫存量
750預期2026/7/9
最少： 1
倍數： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
375庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
規格書
869庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
規格書
1,659庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
1,001庫存量
2,000預期2027/1/28
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
規格書
276庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
規格書
277庫存量
720在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
規格書
396庫存量
480在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
規格書
483庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
規格書
826庫存量
240預期2026/7/9
最少： 1
倍數： 1
最大： 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
規格書
776庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
790庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
760庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
394庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
392庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
規格書
120庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
規格書
97庫存量
60在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
規格書
71庫存量
480預期2026/6/29
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
規格書
237庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3