1 Gbit 記憶體 IC

結果: 702
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 126庫存量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 1 Gbit
Macronix NAND快閃 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
4,800在途量
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit Parallel
Macronix NOR快閃 Serial NOR 3V 1Gbit x4 I/O SOP-16
4,365在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-16 1 Gbit SPI
Macronix NOR快閃 Serial NOR 1.8V 1Gbit x4 I/O SOP-16
3,465在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-16 1 Gbit SPI
Macronix NOR快閃 Serial NOR 1.8V 1Gbit x4 I/O BGA-24
3,640在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 1 Gbit SPI
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
380預期2026/8/13
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
GigaDevice NOR快閃
996預期2027/1/21
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-16 1 Gbit SPI
GigaDevice NAND快閃
2,997預期2026/5/29
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI
Macronix NAND快閃 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON ECC-Free
2,986預期2027/1/21
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 1 Gbit Parallel
Macronix NOR快閃 Serial NOR 1.8V 1Gbit x4 I/O BGA-24 +105C
460在途量
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 1 Gbit SPI
Infineon Technologies S70FS01GSAGBHI210
Infineon Technologies NOR快閃 STD SPI
311預期2026/5/26
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT 1 Gbit SPI
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (A-die), Industrial Temp - Tray
418預期2026/6/2
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray
190預期2026/7/14
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray
380預期2026/10/21
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
1,330在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
1,496預期2026/12/16
最少: 1
倍數: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16
2,508在途量
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
171預期2027/2/25
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit

ISSI NOR快閃 1Gb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, tray, new die rev
521在途量
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI
ISSI NAND快閃 1G 1.8V x16 4-bit NAND快閃
434預期2026/7/16
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 1 Gbit Parallel

ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480預期2027/4/22
最少: 1
倍數: 1

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI
Alliance Memory DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 166MHz, Commercial Temp - Tray
107預期2026/10/8
最少: 1
倍數: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 1 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
124預期2026/5/26
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 1 Gbit
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
1,950預期2026/8/20
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
109預期2026/10/9
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit