2 Gbit Tray 記憶體 IC

記憶體 IC的類型

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結果: 188
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR快閃 Nor 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 180
倍數: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NOR快閃 Nor 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 360
倍數: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NOR快閃 Nor 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 180
倍數: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR快閃 Nor 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 360
倍數: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NOR快閃 2G 3V 110ns Parallel NOR快閃 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 2 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
205預期2026/8/13
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tray 前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 242
倍數: 242

DRAM SMD/SMT BGA-60 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 190
倍數: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI NOR快閃 2Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade, new die 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 480
倍數: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tray 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit