5 ns 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 415
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
規格書
18庫存量
324預期2026/6/2
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
規格書
72庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
規格書
213庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54pin TSOPII, 166 Mhz, Industrial temp - Tray
規格書
108庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
Micron DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA
規格書
產品評論
20庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 100
: 1,000

DRAM SMD/SMT VFBGA-90 512 Mbit

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
262庫存量
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 8 Mbit SPI
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, Automotive Temp - Tray
規格書
221庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT LFBGA-144 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
規格書
37預期2026/9/11
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT BGA-256 1 Mbit Parallel
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
348預期2026/5/26
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
108預期2026/5/26
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
規格書
1,200預期2026/7/16
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
324預期2026/5/29
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
190預期2026/5/29
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
227預期2026/6/2
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
429預期2026/6/12
最少： 1
倍數： 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 32 Mbit SPI
Texas Instruments FIFO 65536 x 18 Synch FIF O Memory
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

FIFO SMD/SMT LQFP-80 1.125 Mbit
Texas Instruments FIFO Mil Enhance 65536x18 Synch FIFO Memory A A 595-SN74V293PZAEP
規格書
產品評論
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 90
倍數： 90

FIFO SMD/SMT LQFP-80 1.125 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
GSI Technology SRAM
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
SRAM SMD/SMT BGA-209 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
SRAM SMD/SMT BGA-209 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
規格書
暫無庫存
最少： 18
倍數： 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 32 16M
規格書
暫無庫存
最少： 18
倍數： 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel