ISSI RLDRAM2 DRAM

結果: 114
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x18 Separate I/O 300MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS18320 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 32 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray
ISSI DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded IT 暫無庫存
最少: 104
倍數: 104
RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz BGA-144 64 M x 9 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLS96400 Tray