Intelligent Memory 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 81
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 16GB, -40C to 85C 287庫存量
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 32GB, -40C to 85C 276庫存量
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 128GB, -40C to 85C 38庫存量
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 16 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC, 11.5x13 153 ball, 64GB, -25C to 85C
規格書
34庫存量
最少： 1
倍數： 1

eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1
Intelligent Memory eMMC eMMC 5.1 153 ball (11.5x13) 8GB -25C to 85C Silver
規格書
21庫存量
最少： 1
倍數： 1
eMMC SMD/SMT
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
規格書
412預期2026/2/25
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
240預期2026/3/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4or4x Combo,32Gb,1024Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V/0.6V,FBGA-200,-40C to +95C
規格書
144預期2026/2/10
最少： 1
倍數： 1

DRAM
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
232預期2026/4/1
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
216預期2026/4/27
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
108預期2026/4/22
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60
規格書
前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit