IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

結果: 76
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 108
倍數: 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz at CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Reel
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray