8 bit DRAM

結果: 365
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
38庫存量
242預期2027/2/22
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 512 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR85120BL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
263庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
315庫存量
242預期2026/6/17
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 64Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
規格書
63庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
48庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
81庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
規格書
126庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
規格書
4,800預期2026/7/6
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
135庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
規格書
210在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
662預期2026/7/9
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
1,014在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
1,920在途量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
規格書
126預期2027/1/19
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
480預期2026/10/8
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
480預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 32Mx8, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2508SD Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 220
倍數： 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
規格書
N/A
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray