IS66WVH8M8BLL-100B1LI

ISSI
870-WVH8M8BLL100B1LI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI

製造商：

說明：
DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 781

庫存：
781
可立即送貨
在途量:
480
預期2026/4/17
工廠前置作業時間：
14
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 423
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$181.22 NT$181.22
NT$166.60 NT$1,666.00
NT$161.50 NT$4,037.50
NT$157.76 NT$7,888.00
NT$154.02 NT$15,402.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
64 Mbit
8 bit
100 MHz
TFGBA-24
8 M x 8
40 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS66WVH8M8BLL
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 35 mA
公司名稱: HyperRAM
每件重量: 84 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.

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