64 Mbit DRAM

結果: 205
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 348
倍數： 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 348
倍數： 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 348
倍數： 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 240
倍數： 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
N/A
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 240
倍數： 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 240
倍數： 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 240
倍數： 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 4Mx16 SDR SDRAM
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 4Mx16 SDR SDRAM
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
暫無庫存
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel