256 kbit NVRAM

結果: 44
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼
接口類型
存儲容量
組織
數據匯流排寬度
存取時間
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
運作供電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
20庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
規格書
21庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
31庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 120 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM
規格書
27庫存量
最少： 1
倍數： 1

SSOP-48 256 kbit 32 k x 8 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B256LA Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 85 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 200 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230Y Tray

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 40
倍數： 40

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1330W Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monit
規格書
80預期2026/7/30
最少： 1
倍數： 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1330Y Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B256I Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SOIC-16 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B256PA Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,990
倍數： 2,990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CY14U256LA-BA35XIT
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 256 kbit CY14U256LA Reel