ISSI SRAM

結果: 1,231
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 363庫存量
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 25ns Async SRAM 127庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 18M (512Kx36) 200MHz Sync SRAM 2.5v 8庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 9庫存量
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 29庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262庫存量
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 7庫存量
最少: 1
倍數: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 14庫存量
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 3庫存量
最少: 1
倍數: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
ISSI IS64WV3216BLL-15CTLA3
ISSI SRAM 512Kb (32Kx16) Async SRAM
92庫存量
最少: 1
倍數: 1

512 kbit 32 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async SRAM 5v
17,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 35 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM
893預期2026/6/18
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 16 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 300 uA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
140預期2026/6/9
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 250MHz Sync SRAM 2.5v
71預期2026/6/4
最少: 1
倍數: 1

18 Mbit 1 M x 18 2.6 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
998預期2026/7/16
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
809預期2026/7/15
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16 LPAsync SRAM
960預期2026/6/5
最少: 480
倍數: 480

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
5,039預期2026/6/22
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
2,190預期2026/10/7
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
440預期2026/7/1
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3.135 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
280預期2026/7/29
最少: 1
倍數: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
135預期2026/9/10
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
234預期2026/9/10
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
234預期2026/10/16
最少: 1
倍數: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429預期2026/6/12
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24