R1RW0408DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2LRB1
Price: 677.96 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

968-R1RW0408DGE2LRB1

製造商編號：

R1RW0408DGE-2LR#B1

製造商：

Renesas Electronics

說明：

SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

R1RW0408DGE-2LR#B1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$677.96	NT$677.96
	NT$628.32	NT$6,283.20
	NT$523.94	NT$11,526.68
	NT$423.64	NT$18,640.16
	NT$398.14	NT$43,795.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Renesas Electronics
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	4 Mbit
組織:	512 k x 8
存取時間:	12 ns
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
電源電壓 - 最小值:	3 V
電源電流 - 最大值:	100 mA
最低工作溫度:	0 C
最高工作溫度:	+ 70 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOJ-36
封裝:	Tray
品牌:	Renesas Electronics
存儲類型:	SRAM
產品類型:	SRAM
原廠包裝數量:	22
子類別:	Memory & Data Storage
類型:	High Speed

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

R1RW0408DGE-2LR#B1 規格書 (PDF)

EOL

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.