2133 MT/s 記憶體模組

結果: 139
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics A4F16Q38BVPBME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QD8BVPBMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32QG8BVPBMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMFV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSAV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMFV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218ACSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218AFMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218EGSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218ERMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin