Broadcom Limited 光電晶體管

結果: 15
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 封裝/外殼 安裝風格 峰值波長 接通狀態集電極最大電流 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極擊穿電壓 集電極-發射極飽和電壓 暗電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列
Broadcom / Avago 光電晶體管 IR PT Lamp,3mm, 960nm,24deg 13,480庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Phototransistors Through Hole 920 nm 23 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C
Broadcom / Avago 光電晶體管 IR PT Lamp,3mm, 960nm,50deg 13,983庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Phototransistors Through Hole 920 nm 11 mA 30 V 400 mV 100 nA 150 mW - 40 C + 85 C
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,R/angle, PT,940nm 12,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,R/angle, PD,940nm 9,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

940 nm HSD9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PD,940nm 6,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

940 nm HSD9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PT,940nm 11,386庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Phototransistors 0805 (2012 metric) SMD/SMT 940 nm 20 mA 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PT,940nm 8,990庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

HST9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PT,940nm 7,798庫存量
最少: 1
倍數: 1

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 940 nm 20 A 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,R/angle, PT,940nm 8,417庫存量
最少: 1
倍數: 1

Phototransistors 3.0 mm x 2.0 mm x 1 mm SMD/SMT 970 nm 20 A 400 mV 30 V 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C HST9
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PT,940nm 8,955庫存量
最少: 1
倍數: 1

HST9
Broadcom / Avago HST6-C190
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,Top Mt,PT,630nm 12,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

HST6
Broadcom / Avago HLPT-B5D0-00000
Broadcom / Avago 光電晶體管 IR PT Lamp,5mm, 960nm,20deg 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 12,000
倍數: 2,000

Broadcom / Avago HLPT-B5G0-00000
Broadcom / Avago 光電晶體管 IR PT Lamp,5mm, 960nm,50deg 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 12,000
倍數: 2,000

Broadcom / Avago HLPT-B5K0-00000
Broadcom / Avago 光電晶體管 IR PT Lamp,5mm, 960nm,80deg 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 12,000
倍數: 2,000

Broadcom / Avago HST9-B400
Broadcom / Avago 光電晶體管 Chip,R/angle, PT,940nm 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Phototransistors 1206 (3216 metric) SMD/SMT 920 nm 20 mA 30 V 30 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 85 C