SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

結果: 661
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 封裝/外殼 頻率 頻率穩定性 負載電容 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 輸出格式 额定电流 最低工作溫度 最高工作溫度 資格 系列
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 1.8V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 1,857庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 6庫存量
250預期2026/12/16
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 27.29964MHz 3.3V 20ppm -40C +85C 250庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 27.29964 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 90MHz +/-50ppm -40C to85C 3.3V 245庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 90 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 50MHz 3.3V -40C +85C 312庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 71庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250
8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 10.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 221庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

7 mm x 5 mm 10 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 28.636363MHz 1.8V 527庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

28.636363 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, T&R 113庫存量
1,000預期2026/8/21
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 230庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

25 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 31.25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 299庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 31.25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 33,33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 65庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 24MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 248庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

24 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 1.8V, 1MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 214庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

1 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -20 to 70C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 93庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 26MHz, OE, T&R 755庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 24.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 35庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 114庫存量
250預期2026/11/10
最少: 1
倍數: 1
: 250

25 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 25ppm 502庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 331庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 2.25V-3.63V, 8MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 17庫存量
250預期2026/11/10
最少: 1
倍數: 1
: 250

8 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 403庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 263庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 295庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 862庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B