STW75N65DM6-4

STMicroelectronics
511-STW75N65DM6-4
STW75N65DM6-4

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$473.62 NT$473.62
NT$355.64 NT$3,556.40
NT$311.44 NT$37,372.80
NT$308.04 NT$157,100.40
NT$278.80 NT$284,376.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
118 nC
- 55 C
+ 150 C
480 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 130 ns
標準開啟延遲時間: 40 ns
每件重量: 6.080 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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