Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

分離式半導體的類型
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結果: 314
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
規格書
255庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
規格書
461庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
規格書
產品評論
132庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
規格書
127庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
規格書
600在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
規格書
591預期2026/4/1
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
規格書
產品評論
無庫存前置作業時間 14 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
規格書
前置作業時間 26 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
規格書
前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
規格書
前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
規格書
前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3