RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體

Toshiba RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體 (BRT) 符合AEC-Q101標準,並針對切換、逆變器電路、介面連接和驅動器電路應用最佳化。偏壓電阻器為整合式設計,可減少所需的外部零件數量,同時縮小系統尺寸並省下組裝時間。Toshiba RN汽車偏壓電阻器BRT提供廣泛的電阻範圍,適用於各種電路設計。

分離式半導體的類型

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結果: 163
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 6,583庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,562庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD 保護二極體 / TVS 二極體 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
9,000預期2026/3/2
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

SOD-323-2
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
5,990預期2026/2/23
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
6,000預期2026/7/3
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) N/A
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 N/A
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) N/A
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6