EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7模組

英飛凌EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7模組採用最新的微型圖案溝槽技術，可降低耗損，同時提供更高的可控性。其晶片專門針對工業驅動應用最佳化，使模組達到更低的靜態耗損、更高的功率密度和更彈性的開關能力。功率模組允許的最高作業溫度最高至175°C，功率密度得以大幅提升。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
規格書
26庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 950 V, 400 A 3-level IGBT module
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 950 V, 200 A 3-level IGBT module
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray