200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

結果: 25
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
11,914庫存量
9,200預期2026/6/17
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
規格書
23,866庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
2,519庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
586庫存量
800預期2026/6/29
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
規格書
3,651庫存量
7,200預期2027/4/1
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
1,179庫存量
1,000預期2026/11/12
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
規格書
3,201庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
規格書
11,176庫存量
9,000預期2026/6/29
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
規格書
10,884庫存量
34,000在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
規格書
13,113庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
規格書
3,562庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
規格書
3,568庫存量
2,000預期2026/6/29
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
規格書
4,421庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
規格書
5,187庫存量
4,800預期2026/7/29
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
規格書
2,988庫存量
2,400預期2026/8/27
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
規格書
6,702庫存量
9,000預期2026/8/27
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
規格書
1,431庫存量
8,000預期2026/6/29
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
規格書
3,023庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 1,324庫存量
5,000預期2026/7/23
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 531庫存量
400預期2026/6/29
最少： 1
倍數： 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
178庫存量
400預期2026/12/17
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
規格書
300庫存量
1,600預期2026/7/2
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
規格書
199庫存量
25,600在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
規格書
1,740庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Tube