半導體

結果: 637
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ADLINK Technology 8G SOD DDR4 2400 DDR4 SDRAM
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB SO-DIMM 2Rx16
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2400, 16GB, 2Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1Gx8) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

NeoCortec 網路開發工具 NeoMesh NC2400C Evaluation kit 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ADLINK Technology DDR4 2400 288P 16GB ECC DIMM
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2666, 32GB, 4Gx72, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL19, ECC, OP Temp:0-85, Samsung Fix Die:No, Chip(2Gx8) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 16GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2400, 16GB, 2048Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(1024M x8*16 ) height:30mm 無庫存前置作業時間 13 週
最少: 1
倍數: 1
ADLINK Technology DDR4 2400 260P 8GB SODIMM 2Rx16
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2400, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:2, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No, Samsung Chip(512Mx8) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ADLINK Technology DDR4 2400 260P 4GB SODIMM 1Rx8
ADLINK Technology 記憶體模組 DDR4-2400, 4GB, 512Mx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, Non-ECC, OP Temp:0 85, Fix Die:No(F-die), Samsung Chip(512Mx8) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
Lattice FPGA - 現場可編程輯閘陣列 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 90
倍數: 90

Lattice FPGA - 現場可編程輯閘陣列 4320 LUTs 275 IO 1.2V 4 Spd 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 450
倍數: 90

Lattice FPGA - 現場可編程輯閘陣列 Lattice MachXO2 Low Power; 4320 LUTs; 1.2V 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 260
倍數: 260

Lattice FPGA - 現場可編程輯閘陣列 4320 LUTs 279 IO 3.3V 5 Spd 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 1
倍數: 1