PSRAM (Pseudo SRAM) 半導體

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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
規格書
198預期2026/4/24
最少： 1
倍數： 1
最大： 66

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
規格書
72,367工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 10,000
倍數： 10,000
捲: 10,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
規格書
前置作業時間 20 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
規格書
暫無庫存
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000