IRF3205 MOSFET

結果: 5
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Infineon Technologies IRF3205ZPBFAKSA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 1,401庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 55 V 75 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 76 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC 7,128庫存量
6,230預期2026/7/17
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 97.3 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg 2,352庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 76 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
71,051在途量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 97.3 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp 1,577庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel