Microchip IGBT 模組

結果: 335
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-BL1
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-BL2
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SOT227
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 480 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 200 A SOT-227
規格書
25庫存量
200預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 283 A 600 nA 682 W SOT-227-4 - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-BL2
規格書
3預期2026/3/16
最少： 1
倍數： 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
規格書
10預期2026/5/4
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 150 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 3.2 V 170 A 900 nA 830 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 60 A 100 nA 390 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 80 A 100 nA 347 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 900 V 2.5 V 87 A 100 nA 284 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 47 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 600 V 87 A 100 nA 283 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 50 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 10
倍數： 10

IGBT Modules Single 1.2 kV 2.5 V 120 A 100 nA 521 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 43
倍數： 43

IGBT Modules Single 650 V 1.85 V 80 A 150 nA 220 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 38
倍數： 38

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 75 A 500 nA 347 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227
規格書
60在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 600 V 2 V 112 A 100 nA 356 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 10
倍數： 10

SiC IGBT Modules Single 1.2 kV 2.5 V 149 A 100 nA 625 W ISOTOP-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP4
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 7
倍數： 7

IGBT Modules Dual 1.2 kV 2.05 V 170 A 150 nA 520 W SP4 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP1
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 17
倍數： 17

IGBT Modules Single 1.2 kV 2.05 V 170 A 150 nA 520 W SP1 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 11
倍數： 11

IGBT Modules Full Bridge 650 V 1.85 V 135 A 150 nA 350 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP4
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 8
倍數： 8

IGBT Modules Dual 1.2 kV 2.05 V 250 A 240 nA 750 W SP4 - 40 C + 125 C Tube