Microchip IGBT 模組

結果: 335
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 13
倍數： 1

IGBT Modules Single 650 V 1.65 V 200 A 480 nA 483 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 13
倍數： 1

IGBT Modules Hex 650 V 1.65 V 50 A 120 nA 125 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 7
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge Tube
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-D3
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Full Bridge 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules T-Type 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-D3
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-D4
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4
倍數： 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP1F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 11
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 9
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 145 A 150 nA 524 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 9
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 145 A 150 nA 524 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 7
倍數： 1

IGBT Power Modules Full Bridge 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6P
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4
倍數： 1

IGBT Power Modules Three Phase 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-BL3
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1
IGBT Power Module 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 80 A 150 nA 263 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-6HPD
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 90 A 150 nA 333 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-6HPD
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 150 nA 300 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-6HPD
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 180 A 150 nA 452 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-SBD-6HPD
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 200 nA 400 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP6LI
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 3
倍數： 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 545 A 400 nA 1.807 kW - 40 C + 175 C