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結果: 335

智能篩選 當你選擇以下一個或多個過濾參數，智能過濾將會立即停用任何未選定的值，以避免出現錯誤。

已用篩選:

半導體 離散半導體 分立及功率模組 IGBT 模組

製造商 = Microchip

產品	配置	集電極-發射極最大電壓VCEO	集電極-發射極飽和電壓	連續集電極電流在25 C	柵射極漏電電流	Pd - 功率消耗	封裝/外殼	最低工作溫度	最高工作溫度	封裝
IGBT Modules IGBT Power Module IGBT Power Modules IGBT Silicon Modules Power Modules SiC IGBT Modules 重設	3-Level Inverter 3-Phase 3-Phase Bridge 3-Phase Inverter Asymmetrical Bridge Double Dual Common Source Dual Dual Common Emitter Dual Common Source Full Bridge Half Bridge Hex Quad Single Three Phase Triple Dual Common Source T-Type 重設	600 V 650 V 900 V 1.2 kV 1.2 kV, 600 V 1.7 kV ≤ ≥ 重設	1.4 V 1.5 V 1.6 V 1.65 V 1.7 V 1.8 V 1.85 V 1.95 V 2 V 2.05 V 2.05 V, 1.5 V 2.2 V 2.4 V 2.5 V 3.2 V 3.3 V ≤ ≥ 重設	32 A 40 A 45 A 50 A 55 A 60 A 64 A 65 A 68 A 70 A 75 A 75 A, 80 A 80 A 86 A 87 A 90 A 100 A 108 A 110 A 112 A ≤ ≥ 重設	100 nA 120 nA 120 nA, 600 nA 150 nA 200 nA 240 nA 240 nA, 600 nA 300 nA 340 nA 360 nA 400 nA 480 nA 480 nA, 400 nA 500 nA 600 nA 680 nA 800 nA 900 nA 1 uA 1.2 uA ≤ ≥ 重設	62 W 90 W 95 W 125 W 156 W 165 W 170 W 175 W 176 W 176 W, 250 W 208 W 210 W 220 W 250 W 250 W, 500 W 260 W 263 W 270 W 276 W 277 W ≤ ≥ 重設	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm D3 D3-11 D4 D4-5 ISOTOP-4 LP8 SOT-227-4 SP1 SP-1 SP1-12 SP1-32 SP1F SP-3 SP3-32 SP3F SP3F-32 SP4 SP6 SP6C 重設	- 55 C - 40 C ≤ ≥ 重設	+ 85 C + 100 C + 125 C + 150 C + 175 C ≤ ≥ 重設	Bulk Tube 重設

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