Microchip POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP IGBT 模組

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
規格書
2,091庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 3.3 V 128 A 100 nA 543 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模組 IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 1.2 kV 3.3 V 128 A 100 nA 543 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube