Module IGBT 模組

結果: 34
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 200 A dual IGBT module
規格書
13庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 2.3 V 310 A 100 nA 1.25 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT Module 50A 600V
規格書
242庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 6-Pack 600 V 1.45 V 70 A 400 nA 205 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1700V 3600A
規格書
8庫存量
49在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 1.9 V 3.6 kA 400 nA 21 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

Hybrid IGBT Modules 6-Pack 750 V 1.1 V 450 A 400 nA 714 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 100 A booster IGBT module
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 100 A booster IGBT module
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
27庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1200V 400A
規格書
460庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.75 V 400 A 400 nA 2.4 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
11庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 600V 50A
規格書
66庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.45 V 65 A 400 nA 175 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 Automotive grade Easy modules for On Board Charger (OBC) and EV aux applications
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Quad 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 50 A PIM IGBT module
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

650 V 1.6 V 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 160 A booster IGBT module
規格書
11庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Quad 1.2 kV 1.55 V 20 A 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT MODULES 650V 150A
規格書
16庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.45 V 150 A 400 nA 335 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 50 A PIM IGBT module
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1
650 V 1.28 V 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 50 A 3-level IGBT module
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.45 V 50 A 100 nA 20 mW Module - 40 C + 150 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 80 A booster IGBT module
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.4 V 20 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
規格書
30在途量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
30預期2026/10/20
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1200V 50A
規格書
8預期2026/7/29
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 6-Pack 1.2 kV 1.85 V 83 A 100 nA 335 W Module - 40 C + 150 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
15預期2026/8/10
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk