Module IGBT 模組

結果: 34
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1200V 50A
規格書
13在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules 6-Pack 1.2 kV 1.85 V 83 A 100 nA 335 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 80 A booster IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 20 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT MODULES 600V 50A
規格書
前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules IGBT Inverter 600 V 1.45 V 75 A 400 nA 175 W Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT Module 400A 650V
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules IGBT Inverter 650 V 1.55 V 485 A 400 nA 12.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 IGBT 1700V 225A
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 340 A 400 nA 1.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4
倍數： 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 225 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.85 V 225 A 400 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE
規格書
暫無庫存
最少： 6
倍數： 6

Hybrid IGBT Modules 6-Pack 750 V 1.1 V 450 A 400 nA 714 W Module - 40 C + 150 C Tray