IGBT 電晶體

 IGBT 電晶體
IGBT電晶體(IGBT Transistor),應有盡有。Mouser Electronics(貿澤電子)是眾多IGBT電晶體原廠授權代理商,提供多家業界頂尖製造商的IGBT電晶體產品,包括Fairchild、Infineon、IXYS、STMicroelectronics、Vishay等多家知名廠商。想了解更多IGBT電晶體產品,請瀏覽下列產品分類。
結果: 1,687
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD)基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 資格 封裝
onsemi IGBT 電晶體 650V 50A FS4 HYBRID IGBT 447庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4LD Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 100 A 246 W - 55 C + 175 C FGH4L50T65MQDC50
Infineon Technologies IGBT 電晶體 236庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 200 A 750 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 134庫存量
240預期2024/1/3
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube


Infineon Technologies IGBT 電晶體 237庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 200 A 937 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 379庫存量
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube

Infineon Technologies IGBT 電晶體 IGBT PRODUCTS 436庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 437庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 233庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 150 A 577 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube
Infineon Technologies IKQ150N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 178庫存量
240預期2024/3/20
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IKY150N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 215庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IKQ120N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 225庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IKZA100N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 216庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 152庫存量
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube
onsemi IGBT 電晶體 FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 440庫存量
最少: 1
倍數: 1

TO-247-3 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 82庫存量
240預期2024/1/24
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 160庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 114庫存量
240預期2023/12/6
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 123庫存量
240預期2023/11/29
最少: 1
倍數: 1

TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube
STMicroelectronics IGBT 電晶體 Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT 100庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 30

Tube
Infineon Technologies IGBT 電晶體 89庫存量
480在途量
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Tube
onsemi IGBT 電晶體 IGBT - 650 V 40 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified 640庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

D2PAK - 3 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IKZA40N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 175庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IHW25N140R5LXKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 240庫存量
最少: 1
倍數: 1

Tube
Infineon Technologies IKWH75N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 180庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IKWH50N65EH7XKSA1
Infineon Technologies IGBT 電晶體 225庫存量