STMicroelectronics IGBT

結果: 205
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
資格
封裝
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 300

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 600

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 600
倍數： 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube