儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

結果: 9
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
onsemi IGBT 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
180庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBT 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBT 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
131庫存量
240預期2026/4/10
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube

onsemi IGBT IGBT 1200V 40A UFS
規格書
257庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.78 V - 20 V, 20 V 160 A 454 W - 55 C + 175 C FGH40T120SQDNL4 Tube
onsemi IGBT 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
規格書
425庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4LD Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 100 A 246 W - 55 C + 175 C FGH4L50T65MQDC50 Tube

onsemi IGBT FS4 T TO247 50A 650V 4L
規格書
1,350預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH4L50T65SQD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
規格書
450預期2026/3/27
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
規格書
450預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube
onsemi IGBT 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube