BGA-168 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 31
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
855預期2026/10/16
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gb
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
規格書
3,312預期2026/6/24
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gb
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit