ISSI DRAM

結果: 1,807
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
952在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 143

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
1,754在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 437

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
規格書
2,131在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 605
SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
規格書
621在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 139

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16160J
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
規格書
555在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 91

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
1,579預期2026/3/6
最少： 1
倍數： 1
最大： 437

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
規格書
1,310預期2026/4/24
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 188
捲: 1,500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
規格書
3,828預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
最大： 235

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
2,714在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 502

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
2,445預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
最大： 836

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
規格書
3,500在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 750
捲: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
規格書
4,947在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 594
捲: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
規格書
689預期2026/4/22
最少： 1
倍數： 1
最大： 81

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
418在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 131

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
規格書
272預期2026/5/22
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
規格書
380在途量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
規格書
190預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1
最大： 5

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16256BL
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp
規格書
1,500預期2026/4/17
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
最大： 5
捲: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
1,254預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
最大： 276

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
1,440預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1
最大： 615

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
706預期2026/4/30
最少： 1
倍數： 1
最大： 206

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
規格書
272在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 28

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
272預期2026/2/25
最少： 1
倍數： 1
最大： 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
規格書
698在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 66

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
規格書
1,996預期2026/4/17
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 128 Mbit 16 bit 166 MHz 8 M x 16 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16800G Reel, Cut Tape, MouseReel