100 MHz DRAM

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2,471庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,298庫存量
最少: 1
倍數: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 387庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM 1,571庫存量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFGBA-24 8 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS66WVH8M8BLL
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
1,920在途量
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI-TR
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel