ISSI SRAM

結果: 1,231
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝

ISSI SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
2,964預期2026/3/18
最少: 1
倍數: 1
最大: 47

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
960預期2026/4/13
最少: 1
倍數: 1
最大: 202

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Tray

ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
1,143在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 151

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM
622預期2026/2/23
最少: 1
倍數: 1
最大: 10

8 Mbit 512 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM
1,199預期2026/5/4
最少: 1
倍數: 1
最大: 263

16 Mbit 16 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 300 uA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
61預期2026/3/9
最少: 1
倍數: 1
最大: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
41預期2026/5/7
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
72預期2026/7/14
最少: 1
倍數: 1
最大: 13

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Serial 3.6 V 2.2 V 5 mA, 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 210
倍數: 210

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 480
倍數: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel