QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

製造商：

說明：
RF雙極結體管 DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: RF雙極結體管
RoHS:  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
品牌: Qorvo
濕度敏感: Yes
輸出功率: 34.7 W
Pd - 功率消耗 : 29 dBm
產品類型: RF Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 100
子類別: RF Transistors
零件號別名: QPD0020SR
每件重量: 1.430 g
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

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