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Cypress Asynchronous SRAM

Cypress異步SRAM

異步SRAM領域的領導業者Cypress提供多種快速異步與低功率異步SRAM (MoBL™)裝置。設計人員可將異步SRAM，運用於需要最高可靠性與效能標準的各種工業、醫療、商業、汽車及軍事應用。

共通特色
  • 多種匯流排寬度組態：x8、x16及x32
  • 廣大的密度範圍：256Kb至64Mb
  • 適用於工業與汽車溫度等級
  • 符合業界標準及RoHS的封裝
  • 可提供晶片內建錯誤校正碼(ECC)
  • 可提供位元交錯以避免多位元錯誤
應用
  • 工業自動化
  • 汽車
  • 運算伺服器
  • 網路
  • 資料處理
  • 軍事與航太

快速SRAM

Cypress的快速異步SRAM裝置產品組合提供密度範圍從64Kb至最高32Mb。快速SRAM可提供業界標準電壓、匯流排寬度及封裝選項。這些裝置採用Cypress高效能CMOS技術進行開發，可提供快速的存取時間(8-12ns)，能夠作為各種應用領域的理想高效能解決方案。Cypress快速異步SRAM適用於工業、汽車及輻射硬化溫度等級。

產品特色
  • 存取時間：10ns或12ns
  • 多種匯流排寬度組態：x8、x16及x32
  • 寬廣的運作電壓範圍：1.8-5.0V
  • 錯誤校正碼(ECC)可偵測/校正單位元錯誤
  • 位元交錯可避免多位元錯誤
  • 錯誤指示(ERR)腳位可指示單位元錯誤
應用
  • 網路
  • 測試設備
  • 軍事與航太系統
  • 工業自動化

微功率(MoBL™) SRAM

Cypress的MoBL™異步SRAM裝置包含業界最多樣的異步低功率SRAM裝置產品組合，密度範圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM可提供業界標準電壓、匯流排寬度及封裝選項。此裝置提供領先業界的待機功率消耗(最大)規格。MoBL異步SRAM適合各種應用中的電池供電解決方案。MoBL SRAM裝置適用於工業、汽車及輻射硬化溫度等級。

產品特色
  • 領先業界的功耗表現
  • 多種匯流排寬度組態：x8、x16及x32
  • 寬廣的運作電壓範圍：1.8-5V
  • 錯誤校正碼(ECC)可偵測/校正單位元錯誤
  • 位元交錯可避免多位元錯誤
  • 錯誤指示(ERR)腳位可指示單位元錯誤
應用
  • 工業自動化
  • 消費性產品
  • 資料處理
  • 醫療


eNews
  • Cypress Semiconductor
發佈日期: 2014-03-31 | 更新日期: 2024-04-11