Infineon Technologies 非揮發性串列式FRAM
Cypress Semiconductor串列式F-RAM（鐵電隨機記憶體）將ROM的非揮發性資料存儲能力與RAM的快速度相結合。串列式F-RAM具有多種介面和密度選項，包括SPI和I2C介面、行業標準套裝及4KB至4MB的密度。Cypress串列式F-RAM與其他非揮發性存儲技術相比具有三大明顯優勢：快速寫入，極高的耐受性和低功耗。串列式F-RAM 提供100萬億週期耐久性，超越EEPROM的100萬寫入週期限度。這消除了以耗損均衡支撐產品壽命的需求。
該設備由鐵電材料構成，可有力抵抗輻射和磁場暴露的影響。這為MRAM的優勢替代品提供了軟錯誤率免疫。這些F-RAM設備通常用於關鍵性任務應用。這包括智能儀表、車載電子設備、工業控制及自動化設備、多功能印表機和便擕式醫療設備。
特點
- 寫入速度快，無延遲寫入
- 暫態非揮發性
- 100萬億週期讀/寫耐久性
- 低3mA有功電流和6µA待機電流
- 無需電池或電容
- 無需耗損均衡技術
- 固有γ辐射耐受性
- 151年資料保留
- 提供透過AEC-Q100汽車認證部件
應用
- 對任務關鍵的應用
- 智能儀表
- 車載電子設備
- 工業控制及自動化裝置
- 這包括智能儀表、車載電子設備、工業控制及自動化設備、多功能印表機和便擕式醫療設備。
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發佈日期: 2012-02-15
| 更新日期: 2023-11-20