STGP10NB60SD

Name: STMicroelectronics STGP10NB60SD
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10NB60SD
Price: 111.14 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STGP10NB60SD

製造商編號：

STGP10NB60SD

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

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壽命週期:

壽命結束:

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規格書:

STGP10NB60SD 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-220-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	600 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.35 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	29 A
Pd - 功率消耗 :	80 W
最低工作溫度:	- 65 C
最高工作溫度:	+ 150 C
系列:	STGP10NB60SD
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	20 A
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

                        
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