STGP6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP6M65DF2
Price: 68.12 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STGP6M65DF2

製造商編號：

STGP6M65DF2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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規格書:

STGP6M65DF2 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-220-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	12 A
Pd - 功率消耗 :	88 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGP6M65DF2
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	12 A
柵射極漏電電流:	250 uA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	2000
子類別:	IGBTs
每件重量:	1.800 g

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所選屬性: 0

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規格書

STGP6M65DF2 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.