NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 147.7 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-VMFWS004N10MCT1G

製造商編號：

NVMFWS004N10MCT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

規格書:

NVMFWS004N10MCT1G 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NVMFWS004N10MCT1G的資訊

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	138 A
Rds On - 漏-源電阻:	3.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	48 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	164 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	13 ns
互導 - 最小值:	120 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	18 ns
系列:	NVMFWS004N10MC
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	39 ns
標準開啟延遲時間:	25 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVMFWS004N10MCT1G 規格書 (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs provide a 138A continuous drain current, 3.9mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS004N10MC is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.