16 bit 4 Gbit 半導體

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
415預期2026/9/21
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
645在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179在途量
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI NAND快閃 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500