18 bit 半導體

半導體的類型
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結果: 35
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
NT$1,767.76
NT$1,634.04
NT$1,580.99
NT$1,541.55
檢視
最少： 1
倍數： 1
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
NT$1,575.61
NT$1,456.59
NT$1,409.26
NT$1,373.77
檢視
最少： 1
倍數： 1
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
NT$3,029.68
NT$2,798.45
NT$2,706.68
NT$2,638.92
檢視
最少： 1
倍數： 1
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
NT$2,863.34
NT$2,644.65
NT$2,557.90
NT$2,494.08
檢視
最少： 1
倍數： 1
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
NT$9,768.05
最少： 50
倍數： 1
否
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
NT$10,545.99
最少： 50
倍數： 1
否
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
NT$2,417.72
最少： 104
倍數： 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
NT$2,266.44
最少： 104
倍數： 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
NT$2,417.72
最少： 104
倍數： 104
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
NT$2,266.44
最少： 104
倍數： 104