IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 211.52 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

25-IS20M8R0S1P

製造商編號：

IS20M8R0S1P

製造商：

iDEAL Semiconductor

說明：

MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IS20M8R0S1P 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	iDEAL Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	200 V
Id - C連續漏極電流:	128 A
Rds On - 漏-源電阻:	8.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.1 V
Qg - 閘極充電:	73 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	333 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	5.5 ns
互導 - 最小值:	37 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5.9 ns
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	41.8 ns
標準開啟延遲時間:	18.7 ns

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所選屬性: 0

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規格書

IS20M8R0S1P 規格書 (PDF)

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 美國

出貨時，國家可能會有所變更。

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low R_DS(on)and Q_SW,resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.