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SQS850EN-T1_GE3

Vishay Semiconductors

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SQS850EN-T1_GE3

製造商編號：

SQS850EN-T1_GE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

規格書:

SQS850EN-T1_GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay Semiconductors SQS850EN-T1_GE3的資訊

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-1212-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
Rds On - 漏-源電阻:	18 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.5 V
Qg - 閘極充電:	41 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	33 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Bulk
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降時間:	9.3 ns
互導 - 最小值:	33 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9.6 ns
系列:	SQS
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	25 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns
每件重量:	1 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SQS850EN-T1_GE3 規格書

Application Notes

PowerPAK 1212-8, The Proven Automotive Package

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

特色產品

VISHAY

SiJK5100E N-Channel MOSFET

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SiJK140E N溝道40V (D-S) MOSFET

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Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

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SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

庫存量: 10,363

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$62.74	NT$62.74
	NT$39.79	NT$397.90
	NT$26.53	NT$2,653.00
	NT$20.90	NT$10,450.00
	NT$19.07	NT$19,070.00
	NT$16.74	NT$50,220.00